钇硅氧氮-氮化硼陶瓷基复合材料的原位制备方法
- 申请号:CN201110180000.0
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院金属研究所
- 公开(公开)号:CN102351541A
- 公开(公开)日:2012.02.15
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 钇硅氧氮-氮化硼陶瓷基复合材料的原位制备方法 | ||
申请号 | CN201110180000.0 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102351541A | 公开(授权)日 | 2012.02.15 |
申请(专利权)人 | 中国科学院金属研究所 | 发明(设计)人 | 陈继新;陈琳;周延春 |
主分类号 | C04B35/597(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/597(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
专利有效期 | 钇硅氧氮-氮化硼陶瓷基复合材料的原位制备方法 至钇硅氧氮-氮化硼陶瓷基复合材料的原位制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明涉及陶瓷基复合材料领域,具体为一种钇硅氧氮-氮化硼(Y4Si2O7N2-BN)陶瓷基复合材料的原位制备方法。该复合材料由钇硅氧氮和氮化硼两相组成,按体积百分比计,复合材料中氮化硼的含量为5~95%,余量为钇硅氧氮。以氧化钇粉、氧化硅粉、氮化硅粉和BN粉为原料,料粉经过球磨1~24小时,烘干过筛后,装入石墨模具中,以10~15MPa冷压,之后在通有氮气作为保护气氛的热压炉中以5~40℃/min的升温速率升至1500~1700℃保温0.5~1小时,接着以5~40℃/min的升温速率升至1800~2100℃保温1~3小时,热压压力为10~40MPa。本发明可以在短时间内热压烧结出纯度高、致密度好、强度高、热导率低的钇硅氧氮-氮化硼陶瓷基复合材料。 |
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