双室结构碳化硅晶体生长装置
- 申请号：CN200910053568.9
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN101928982A
- 公开(公开)日：2010.12.29
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 双室结构碳化硅晶体生长装置 | ||
| 申请号 | CN200910053568.9 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101928982A | 公开（授权）日 | 2010.12.29 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 陈之战;施尔畏;严成锋;肖兵 |
| 主分类号 | C30B23/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I |
| 专利有效期 | 双室结构碳化硅晶体生长装置 至双室结构碳化硅晶体生长装置 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种双室结构碳化硅晶体生长装置，属于晶体生长装置领域。本发明采用进样室和晶体生长室，进样室和晶体生长室通过真空挡板阀连接分离，进样室和晶体生长室连接真空系统。本发明的晶体生长装置，能够克服现有技术的固有缺陷，保证了晶体生长室中的保温材料不和空气接触，最大程度减少了保温材料和生长室对氮及污染物的吸附，提高碳化硅晶体的纯度以及实现对杂质的精确控制，生长出高质量的导电型、掺杂半绝缘或高纯半绝缘等碳化硅晶体。 | ||
交易流程
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