专利详情

专利名称	单面金属波导太赫兹量子级联激光器及制作方法
申请号	CN200710043822.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101345393	公开（授权）日	2009.01.14
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	曹俊诚;黎华;韩英军
主分类号	H01S5/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/00(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	单面金属波导太赫兹量子级联激光器及制作方法至单面金属波导太赫兹量子级联激光器及制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种单面金属波导太赫兹量子级联激光器及制作方法，其首先利用气态源分子束外延设备在半绝缘的GaAs衬底依次生长GaAs缓冲层、N型GaAs下波导层、多量子阱级联有源区、加强辅助注入层、N型GaAs上接触层，然后采用光刻显影以及热蒸发的方法，制作上波导(电极)Au层，再采用光刻显影以及湿法腐蚀的方法制作出脊形结构，接着采用光刻显影以及热蒸发的方法制作下电极，然后快速热退火，并按照设计规格解理出高质量的管芯，最后完成管芯的封装。