专利详情

专利名称	一种制备p+掺杂层与n+前表面场的方法
申请号	CN201210323522.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102820382A	公开（授权）日	2012.12.12
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	贾锐;张巍;陈晨;张代生;金智;刘新宇
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种制备p+掺杂层与n+前表面场的方法至一种制备p+掺杂层与n+前表面场的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种n型晶硅太阳能电池p+掺杂层与n+前表面场的制备方法，属于太阳能电池技术领域。该方法包括在n型晶硅衬底上沉积掺硼非晶硅层，形成第I中间产物；在所述第I中间产物的非晶硅层上沉积氮化硅保护层，形成第II中间产物；在所述第II中间产物的n型晶硅衬底前表面形成n+层，即前表面场形成第III中间产物；对所述第III中间产物进行高温退火，使n型晶硅衬底上形成p+发射结，形成第Ⅳ中间产物；将所述第Ⅳ中间产物氮化硅保护层和所述掺硼非晶硅除去，得到n型晶硅太阳能电池p+掺杂层与n+前表面场。该方法成本低，并且p+型掺杂的均匀性较好。