专利详情

专利名称	一种高K介质埋层的绝缘体上材料制备方法
申请号	CN201110151803.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102820209A	公开（授权）日	2012.12.12
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司	发明（设计）人	张苗;张波;薛忠营;王曦
主分类号	H01L21/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/02(2006.01)I
专利有效期	一种高K介质埋层的绝缘体上材料制备方法至一种高K介质埋层的绝缘体上材料制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种高K介质埋层的绝缘体上材料的制备方法，通过在沉积态的高K介质材料上沉积金属材料并结合退火工艺，使高K介质材料的微观结构由沉积态转变为单晶，从而使高K介质材料有了更好的取向，并通过选择性腐蚀的方法彻底去除不需要的金属材料，沉积半导体材料，最终可得到高质量的绝缘体上材料。采用本发明方法所形成的绝缘体上材料,由于具有高质量的超薄高K介质材料作为埋层,可以更好的控制器件的短沟道效应，为下一代的CMOS器件提供候选的衬底材料。