专利详情

专利名称	一种磁性铜离子印迹硅胶材料的制备方法
申请号	CN201210296056.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102784615A	公开（授权）日	2012.11.21
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	张腾;古宏伟;丁发柱;屈飞;戴少涛
主分类号	B01J20/10(2006.01)I	IPC主分类号	B01J20/10(2006.01)I;B01J20/28(2006.01)I;B01J20/30(2006.01)I;C02F1/28(2006.01)I
专利有效期	一种磁性铜离子印迹硅胶材料的制备方法至一种磁性铜离子印迹硅胶材料的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种磁性铜离子印迹硅胶材料的制备方法。首先采用水热法制备Fe3O4纳米粒子，随后通过四乙氧基硅烷（TEOS）的水解反应制备具有致密硅壳层结构的磁性纳米粒子Fe3O4@SiO2，最后以Cu2+离子为模板离子、含氮硅烷化试剂（aapts,H2NCH2CH2NHCH2CH2CH2Si(OMe)3）为功能单体、十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）为致孔剂、TEOS为交联剂在Fe3O4@SiO2表面沉积多孔Cu2+离子印迹硅胶层，所得的磁性铜离子印迹材料可对Cu2+离子进行快速选择性富集、且具有优异的再生性能和耐酸性能。