专利详情

专利名称	一种隔离区、半导体器件
申请号	CN201190000051.4	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN202585379U	公开（授权）日	2012.12.05
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	尹海洲;朱慧珑;骆志炯
主分类号	H01L21/76(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/76(2006.01)I
专利有效期	一种隔离区、半导体器件至一种隔离区、半导体器件	法律状态
说明书摘要	一种隔离区(142)，所述隔离区(142)包括嵌于半导体基底(100)中的第一凹槽和填充所述第一凹槽的绝缘层，所述第一凹槽包括第一侧壁(122)、底壁和由所述底壁延伸并接于所述第一侧壁(122)的第二侧壁(124)，所述第一侧壁(122)与所述半导体基底(100)的法线间的夹角大于标准值。一种隔离区(142)的形成方法，包括：在半导体基底(100)上形成第一沟槽，所述第一沟槽的侧壁(122)与所述半导体基底(100)的法线间的夹角大于标准值；在所述侧壁(122)上形成掩膜，利用所述掩膜在半导体基底(100)上形成第二沟槽；形成绝缘层，以填充所述第一沟槽和所述第二沟槽。一种半导体器件及其形成方法，在所述半导体器件中，在承载用以形成源漏区的半导体层(146)的第二凹槽(144)和所述第一侧壁(122)和所述第二侧壁(124)之间夹有所述半导体基底材料。利于减少漏电。