专利详情

专利名称	薄膜沉积腔及应用该薄膜沉积腔的薄膜沉积设备
申请号	CN201120453007.0	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN202576547U	公开（授权）日	2012.12.05
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	许波;曹立新;范慧;朱北沂
主分类号	C23C14/28(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/28(2006.01)I
专利有效期	薄膜沉积腔及应用该薄膜沉积腔的薄膜沉积设备至薄膜沉积腔及应用该薄膜沉积腔的薄膜沉积设备	法律状态
说明书摘要	本实用新型公开了一种薄膜沉积腔及应用该薄膜沉积腔的薄膜沉积设备。该薄膜沉积设备包括一薄膜沉积腔，该薄膜沉积腔包括：腔体外壳，腔体外壳围成薄膜沉积腔的腔体；靶材托架，设置于腔体的中部，用于放置由组分A构成的靶材；基片台，设置于腔体中部，与靶材托架相对设置；激光入射口，设置于腔体外壳的侧面，与并靶材托架倾斜相对，用于入射激光以轰击靶材托架上的靶材产生等离子体羽辉；束源炉接口，设置于腔体外壳的侧面并与基片台倾斜相对，用于入射由组分B构成的分子束流；激光入射口与束源炉接口同时入射激光和分子束流。本实用新型能够有效避免脉冲激光沉积成膜过程和分子束外延成膜过程的相互干扰，可以制备质量更好和采用现有技术根本无法制备的薄膜。