MOSFET结构及其制作方法
- 申请号：CN201010242722.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102347357A
- 公开(公开)日：2012.02.08
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | MOSFET结构及其制作方法 | ||
| 申请号 | CN201010242722.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102347357A | 公开（授权）日 | 2012.02.08 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 骆志炯;朱慧珑;尹海洲 |
| 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
| 专利有效期 | MOSFET结构及其制作方法 至MOSFET结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本申请公开了一种MOSFET结构及其制作方法。该MOSFET结构包括：半导体衬底；栅堆叠，位于所述半导体衬底上，所述栅堆叠包括在半导体衬底上依次形成的高k栅介质层和栅极导体层；第一侧墙，至少环绕所述高k栅介质层的外侧，并由含La氧化物形成；第二侧墙，环绕所述栅堆叠和第一侧墙的外侧，并比所述第一侧墙高。本发明的实施例适用于集成电路制造。 | ||
交易流程
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选取所需
专利 -
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确认专利
可交易 - 03 签订合同
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过户资料
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