专利详情

专利名称	一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料及其制备方法
申请号	CN201110331342.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102347446A	公开（授权）日	2012.02.08
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋志棠;程丽敏;吴良才;饶峰;刘波;彭程
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料及其制备方法至一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料。本发明的用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料，其化学成分符合化学通式Nx[(Ge1+yTe)a(Sb2Te3)b]100-x，0＜y≤3，0＜x≤35，a=1或2，b=1或2。该相变材料为在外部能量作用下具有可逆相变的存储材料。采用磁控溅射时，通过控制各靶材靶位的电源功率和N2/Ar2流量比来调节各组分的原子百分含量，可得到不同结晶温度、熔点和结晶激活能的相变存储材料。本发明Ge-Sb-Te富Ge掺N的相变材料，相比于传统的Ge2Sb2Te5薄膜材料来说，具有较高的结晶温度，较好的数据保持力，较好的热稳定性，较低的功耗等优点。