专利详情

专利名称	辐射温度场加速腐蚀的研抛装置
申请号	CN201210292349.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102794698A	公开（授权）日	2012.11.28
申请（专利权）人	中国科学院西安光学精密机械研究所	发明（设计）人	马臻;许亮;丁蛟腾;陈钦芳
主分类号	B24B37/00(2012.01)I	IPC主分类号	B24B37/00(2012.01)I;B24B37/015(2012.01)I
专利有效期	辐射温度场加速腐蚀的研抛装置至辐射温度场加速腐蚀的研抛装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种辐射温度场加速腐蚀的研抛装置，主要解决了现有光学元件，尤其是非球面光学元件加工时成本较高，加工效率较低的问题。该辐射温度场加速腐蚀的研抛装置，包括用于承载被加工元件的承载机构和腐蚀液储液槽，承载机构使被加工元件全部浸泡在腐蚀液储液槽内；配置有透明磨具，与被加工工件机械接触；温度场生成设备与控制机构连接；所述承载机构和腐蚀液储液槽均固定设置于旋转轴上。本发明可实现非球面光学元件的快速抛光，适合与大口径光学元件的研磨抛光，成本低廉。