专利详情

专利名称	一种对纳米尺度元件进行套刻的方法
申请号	CN201110087449.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102736432A	公开（授权）日	2012.10.17
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	谢常青;方磊;朱效立;李冬梅;刘明
主分类号	G03F7/20(2006.01)I	IPC主分类号	G03F7/20(2006.01)I;G03F9/00(2006.01)I
专利有效期	一种对纳米尺度元件进行套刻的方法至一种对纳米尺度元件进行套刻的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种对纳米尺度元件进行套刻的方法，该方法包括：制作波带片所需镂空衬底；采用第一次电子束直写在该镂空衬底上形成所需的对准标记和图形A，显影之后电镀形成对准标记和图形A的金层，然后去除电子束光刻胶形成所需图形；以及采用第二次电子束直写在形成的所需图形的基础上，根据对准标记形成更加精密的图形，显影后电镀，形成图形B。相对于传统纳米制造工艺，利用本发明提供的纳米尺度元件的套刻工艺方法做出的元件，具有更大的分辨率，能有更密集的线条，在高精度的元器件应用方面有广阔的前景。