专利详情

专利名称	一种基底材料表面的Sm-Co基永磁薄膜及其制备方法
申请号	CN201210200142.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102800457A	公开（授权）日	2012.11.28
申请（专利权）人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	发明（设计）人	张昀;张健;刘平;闫阿儒
主分类号	H01F10/16(2006.01)I	IPC主分类号	H01F10/16(2006.01)I;H01F41/18(2006.01)I
专利有效期	一种基底材料表面的Sm-Co基永磁薄膜及其制备方法至一种基底材料表面的Sm-Co基永磁薄膜及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种基底材料表面的Sm-Co基永磁薄膜，所述的基底材料与Sm-Co基永磁薄膜之间是缓冲层，所述的Sm-Co基永磁薄膜厚度为0.1um～100um，所述的缓冲层是钨薄膜层，其厚度为10nm～200nm。与现有技术中所采用的铬作为缓冲层的Sm-Co基永磁薄膜相比，本发明提供的具有钨缓冲层的Sm-Co基永磁薄膜具有薄膜质量好，与基底材料表面的附着力强，经过800℃高温退火处理后，薄膜不脱落，具有良好的应用前景。