肖特基二极管空气桥制备的监控方法
- 申请号：CN201210335699.8
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102800609A
- 公开(公开)日：2012.11.28
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 肖特基二极管空气桥制备的监控方法 | ||
| 申请号 | CN201210335699.8 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102800609A | 公开（授权）日 | 2012.11.28 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 杨成樾;周静涛;金智 |
| 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 专利有效期 | 肖特基二极管空气桥制备的监控方法 至肖特基二极管空气桥制备的监控方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公布了肖特基二极管空气桥制作的图形监控方法，该方法是在制备空气桥抗腐蚀掩模的同时，制备出与空气桥桥宽相对应的包含至少两个条形抗腐蚀掩模的长栅条结构掩模，在腐蚀制备空气桥的过程中只需通过显微镜观测栅条掩模结构下的外延材料腐蚀形貌，即可准确的判断出肖特基二极管空气桥的制备进程。本发明是一种非破坏性监控方法，操作简单且对加工设备能力要求低。 | ||
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