专利详情

专利名称	一种磁控溅射制备单一取向锰钴镍氧薄膜的方法
申请号	CN201210211532.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102732848A	公开（授权）日	2012.10.17
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	黄志明;周炜;徐晓峰;吴敬;张雷博;褚君浩
主分类号	C23C14/35(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I
专利有效期	一种磁控溅射制备单一取向锰钴镍氧薄膜的方法至一种磁控溅射制备单一取向锰钴镍氧薄膜的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种磁控溅射制备单一取向锰钴镍氧薄膜的方法，应用该法，可制备出大面积、致密性良好的MCN薄膜。相比溶胶-凝胶法制备的多晶MCN薄膜，该法参数控制更精确，制备出的薄膜致密度更高，且薄膜呈（110）高度择优取向。利用该法制作的MCN薄膜，可用于制造线列及面阵热敏探测器件，以及制作微桥结构和顶底电极结构热敏探测器件。