专利详情

专利名称	多结叠层电池及其制备方法
申请号	CN201210203859.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102738292A	公开（授权）日	2012.10.17
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	郑新和;张东炎;李雪飞;吴渊渊;陆书龙;杨辉
主分类号	H01L31/078(2012.01)I	IPC主分类号	H01L31/078(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	多结叠层电池及其制备方法至多结叠层电池及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种多结叠层电池，包括一衬底、一InGaN基电池膜层与一III-V族多结电池膜层，所述衬底置于所述III-V族多结电池膜层的裸露表面，所述InGaN基电池膜层与III-V族多结电池膜层之间通过键合方式以连接。本发明还提供一种多结叠层电池的制备方法，包括步骤：1）提供一第一衬底、一第二衬底；2）在所述第一衬底生长InGaN基电池膜层，在第二衬底上生长III-V族多结电池膜层；3）从InGaN基电池膜层上剥离第一衬底，剩下InGaN基电池膜层；4）将InGaN基电池膜层的任意裸露表面键合至III-V族多结电池膜层的裸露表面。