专利详情

专利名称	测量肖特基势垒高度的装置和方法
申请号	CN201210209958.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102735665A	公开（授权）日	2012.10.17
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	刘宗顺;赵德刚;陈平;江德生
主分类号	G01N21/64(2006.01)I	IPC主分类号	G01N21/64(2006.01)I
专利有效期	测量肖特基势垒高度的装置和方法至测量肖特基势垒高度的装置和方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种测量肖特基势垒高度的装置及方法，包括：光源、光斩波器、第一透镜、待测样品、第一源表、第二透镜、单色仪、探测器、锁相放大器、第二源表和计算机，该计算机控制单色仪、第一源表和第二源表，实现第一源表对肖特基势垒样品的偏置电压扫描，从得到的肖特基势垒区域选定波长下的光荧光强度与偏置电压变化曲线中确定肖特基势垒高度数值。利用本发明，由于肖特基势垒高度是从测量的光荧光强度随偏置电压的变化特性中得到的，避免了器件边沿并联电阻漏电效应对肖特基势垒高度测量的影响，具有测量精度高、一致性好、非破坏性等优点。