电熔丝结构及其形成方法
- 申请号：CN201010246391.7
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102347309A
- 公开(公开)日：2012.02.08
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 电熔丝结构及其形成方法 | ||
| 申请号 | CN201010246391.7 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102347309A | 公开（授权）日 | 2012.02.08 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 闫江 |
| 主分类号 | H01L23/525(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/525(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
| 专利有效期 | 电熔丝结构及其形成方法 至电熔丝结构及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提出一种电熔丝结构及其形成方法，所述电熔丝结构设置于半导体基底上，所述半导体基底包括至少两个浅沟槽隔离，所述电熔丝结构包括：可熔导体层，在所述半导体基底上覆盖两个所述浅沟槽隔离的表面；阴极和阳极，位于所述可熔导体层之上，所述阴极和阳极分别位于两个所述浅沟槽隔离的上方。该电熔丝结构适用于更小尺寸的集成电路，并且可以与高k介质金属栅工艺兼容。 | ||
交易流程
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