半导体器件结构及其制作方法
- 申请号：CN201010242704.1
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102347277A
- 公开(公开)日：2012.02.08
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体器件结构及其制作方法 | ||
| 申请号 | CN201010242704.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102347277A | 公开（授权）日 | 2012.02.08 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;梁擎擎;尹海洲 |
| 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体器件结构及其制作方法 至半导体器件结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体器件结构及其制作方法。该方法包括：在半导体衬底上形成栅极线；环绕栅极线形成栅极侧墙；在栅极线的两侧，嵌入半导体衬底中形成源/漏区；环绕栅极侧墙形成导电侧墙；以及在预定区域切断栅极线、栅极侧墙和导电侧墙，切断的栅极线形成电隔离的栅极，切断的导电侧墙形成电隔离的下接触部。本发明的实施例适用于集成电路中接触部的制造。 | ||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
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05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
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2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障
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