专利详情

专利名称	半导体器件及其形成方法
申请号	CN201110080739.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102738167A	公开（授权）日	2012.10.17
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司	发明（设计）人	朱慧珑;尹海洲;骆志炯
主分类号	H01L27/088(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/088(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	半导体器件及其形成方法至半导体器件及其形成方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，包括并列的第一区域和第二区域；第一介质层，覆盖所述半导体衬底的表面；第一导电层，形成于所述第一介质层上；第二导电层，所述第二导电层嵌于所述第二区域内的第一导电层中且暴露所述第二导电层的上表面，所述第二导电层和所述第一导电层的材料不同；第二介质层，覆盖所述第一导电层和第二导电层的上表面；半导体材料层，覆盖所述第二介质层的表面；第一MOS场效应晶体管，形成于所述第一区域中的半导体材料层上；第二MOS场效应晶体管，形成于所述第二区域中的半导体材料层上。本发明使得利用相同的电压控制阈值电压不同的SOI?MOS场效应晶体管成为可能。