专利详情

专利名称	一种具有忆阻器特性的半导体器件及其制备方法
申请号	CN201110090926.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102738389A	公开（授权）日	2012.10.17
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘明;李颖弢;龙世兵;吕杭炳;刘琦;张森;王艳
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I
专利有效期	一种具有忆阻器特性的半导体器件及其制备方法至一种具有忆阻器特性的半导体器件及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种具有忆阻器特性的半导体器件及其制备方法。所述半导体器件包括上电极和下电极，以及位于所述上电极和下电极之间的功能层薄膜，所述功能层薄膜为钛铝氧化物TiAlOx。本发明具有忆阻器特性的半导体器件具有与忆阻器相似的特性，结构简单，可以作为第四种无源电路元件的候选，同时采用了简单的制备工艺，降低了忆阻器的制作成本，因此具有产业化价值，有利于本发明的广泛推广和应用。