一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液
- 申请号:CN201210324122.7
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 公开(公开)号:CN102827549A
- 公开(公开)日:2012.12.19
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液 | ||
申请号 | CN201210324122.7 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102827549A | 公开(授权)日 | 2012.12.19 |
申请(专利权)人 | 上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明(设计)人 | 王良咏;刘卫丽;宋志棠 |
主分类号 | C09G1/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C09G1/02(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I |
专利有效期 | 一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液 至一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明关于一种化学机械抛光液,尤其涉及一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液,可有效应用于半导体中氧化硅介电材料。所述氧化硅介电材料用化学机械抛光液,含有氧化物抛光颗粒、盐组份、鳌合剂、pH调节剂及水性介质;其中以抛光液总重量为基准,上述组分的重量百分比为:氧化物抛光颗粒0.2-50wt%;盐组份,其通式为MXn,M为金属元素,X为卤素0.1-5wt%,n=1、2或3;螯合剂0.05-5wt%;余量为pH调节剂和水性介质。本发明所提供的化学机械抛光液,通过盐组份及螯合剂的独特组合,在适当的pH的条件下,大大提高了二氧化硅薄膜去除速率。 |
交易流程
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