专利详情

专利名称	一种高活性、高纯度及高熔点合金的真空吸铸设备及方法
申请号	CN201210328165.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102825242A	公开（授权）日	2012.12.19
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	刘荣华;崔玉友;张德志;谭景全;刘冬;刘羽寅;杨锐
主分类号	B22D18/06(2006.01)I	IPC主分类号	B22D18/06(2006.01)I
专利有效期	一种高活性、高纯度及高熔点合金的真空吸铸设备及方法至一种高活性、高纯度及高熔点合金的真空吸铸设备及方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明为一种高活性、高纯度及高熔点合金的真空吸铸设备及方法。该设备包括上下设置的上真空室和下真空室，上真空室顶端设有电弧枪，底端设置有多个工位铜坩埚将上真空室与下真空室密封隔开，铜坩埚周围通过水循环水冷；其中一个工位铜坩埚中紧配合镶嵌有合金锭坩埚，底部留有通孔，将上真空室与下真空室接通。采用底部带孔的传导性能好且热容大的高熔点合金锭替代石墨等喷嘴，镶嵌于铜坩埚中形成间接水冷结构，结合压差法自动吸铸，解决了该类合金在现有吸铸设备中存在的易污染和成功率低等难题。有效实现该类合金的洁净吸铸过程，吸铸的合金熔点可达1600-1800℃，污染度≤0.01wt.%。