专利详情

专利名称	介质光栅结构单波长反射光吸收传感芯片及其制造方法
申请号	CN201210218494.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102735634A	公开（授权）日	2012.10.17
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	王春霞;王真真;阚强;陈弘达
主分类号	G01N21/31(2006.01)I	IPC主分类号	G01N21/31(2006.01)I
专利有效期	介质光栅结构单波长反射光吸收传感芯片及其制造方法至介质光栅结构单波长反射光吸收传感芯片及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种介质光栅结构单波长反射光吸收传感芯片及其制造方法。该介质光栅结构单波长反射光吸收传感芯片自下至上依次包括石英衬底、SiO2+TiO2双层光栅结构和微流通道，其中所述微流通道是扣置键合于该SiO2+TiO2双层光栅结构之上。本发明提供的这种介质光栅结构单波长反射光吸收传感芯片及其制造方法，实现了器件体积的微型化，节约了化学试剂；通过光栅的波长选择性反射，采用LED白光光源，就可以实现宽波长照明单波长反射功能，同时改变光栅结构参数就可以实现不同波长反射，由于光吸收传感测试精度与光谱宽度有关，因此通过测量单波长反射信号进行吸光度测量有利于提高传感芯片的灵敏度。