专利详情

专利名称	光电探测叠层、半导体紫外探测器及其制造方法
申请号	CN201110164384.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102832269A	公开（授权）日	2012.12.19
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	殷华湘;陈大鹏
主分类号	H01L31/0352(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/112(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	光电探测叠层、半导体紫外探测器及其制造方法至光电探测叠层、半导体紫外探测器及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明实施例公开了一种光电探测叠层，包括m层宽带隙的非晶态氧化物半导体层和n层窄带隙的非晶态氧化物半导体层，所述宽带隙的非晶态氧化物半导体层与窄带隙的非晶态氧化物半导体层交替排列，所述宽带隙的非晶态氧化物半导体层的禁带宽度大于所述窄带隙的非晶态氧化物半导体层的禁带宽度，m、n≥1；光电探测叠层上的电极。通过形成的高低交错能带的非晶态氧化物半导体的光电探测叠层，增强了光生电流，大大提高了光电效率。