专利详情

专利名称	硅基上的近红外量子点电致发光的器件及制备方法
申请号	CN201210308854.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102820391A	公开（授权）日	2012.12.12
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	许兴胜;李成果
主分类号	H01L33/06(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/06(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I
专利有效期	硅基上的近红外量子点电致发光的器件及制备方法至硅基上的近红外量子点电致发光的器件及制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	一种硅基上的近红外量子点电致发光的器件，包括：一衬底；一氧化层制作在衬底上，该氧化层为二氧化硅薄膜，其通过分担电压，平衡电子和空穴的注入；一发光层制作在氧化层上，该发光层为近红外发光的胶体量子点；一电子传输层制作在发光层上，该电子传输层可以传输电子，提高电子载流子注入效率；一金属电极制作在电子传输层上，该金属电极用于向发光层注入电子；其中所述衬底、氧化层、发光层、电子传输层和金属电极为平板波导结构或为脊形波导结构，所述脊形波导结构的衬底为凸字形，中间有一凸台，所述氧化层、发光层、电子传输层和金属电极均制作在衬底的凸台上。本发明具有发光频率可调谐，且材料容易获得，制作成本低廉和工艺简单的优点。