专利详情

专利名称	一种带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池
申请号	CN201120210239.3	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN202134565U	公开（授权）日	2012.02.01
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	褚君浩;窦亚楠;何悦;王永谦;马晓光
主分类号	H01L31/072(2012.01)I	IPC主分类号	H01L31/072(2012.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0376(2006.01)I
专利有效期	一种带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池至一种带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池	法律状态
说明书摘要	本专利公开了一种带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池，该晶体硅太阳电池包括晶体硅基底和上下非晶氧化铝钝化介质层，上表面非晶氧化铝钝化介质层之上为p型掺杂非晶硅碳薄膜和TCO层，下表面非晶氧化铝钝化介质层之下为n型掺杂非晶硅或微晶硅薄膜和TCO层，上下表面TCO层均与金属栅电极连接。本专利采用在用酸处理的晶体硅基底后同时制备极薄的非晶氧化铝钝化介质层，然后分别制备p型非晶硅碳和n型非晶硅或微晶硅及TCO形成异质结电池。本专利具有工艺简单，晶体硅表面钝化性能好，抗UV辐射性能好，充分利用太阳光等优点。