专利详情

专利名称	延长焦深的并行激光直写装置
申请号	CN201110187540.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102338989A	公开（授权）日	2012.02.01
申请（专利权）人	中国科学院上海光学精密机械研究所	发明（设计）人	周常河;余俊杰;贾伟;麻健勇;曹武刚;王少卿
主分类号	G03F7/20(2006.01)I	IPC主分类号	G03F7/20(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;B23K26/00(2006.01)I;B23K26/06(2006.01)I
专利有效期	延长焦深的并行激光直写装置至延长焦深的并行激光直写装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种延长焦深的并行激光直写装置，特点在于其构成包括：输出平面激光束的激光器，沿该平面激光束方向依次是1×N达曼光栅、第一透镜、振幅型空间滤波板、第二透镜、反射镜、孔径光阑、延长焦深相位延迟板、聚焦物镜、自聚焦伺服系统和二维移动平台。本发明装置可以显著提高激光直写装置的加工速率，可以明显降低对聚焦伺服系统的要求，进一步提高了激光直写速率和增大了激光直写的光刻面积。在低成本、高速大面积激光直写方面有重要的实用价值。