MOS器件的建模方法
- 申请号：CN201210212516.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102708268A
- 公开(公开)日：2012.10.03
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | MOS器件的建模方法 | ||
| 申请号 | CN201210212516.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102708268A | 公开（授权）日 | 2012.10.03 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 卜建辉;毕津顺;罗家俊;韩郑生 |
| 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 专利有效期 | MOS器件的建模方法 至MOS器件的建模方法 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本发明提供了一种MOS器件的建模方法，所述MOS器件在源端包括第一类型的STI结构，在漏端包括第二类型的STI结构，该方法包括：a）建立定义器件的沟道区到第一类型的STI结构的距离以及到第二类型的STI结构的距离的一组参数；b）建立所述一组参数对迁移率的影响的解析模型，所述解析模型包含待确定的系数；c）对在源端和漏端都包含第一类型的STI结构的第一类型MOS器件和在源端和漏端都包含第二类型的STI结构的第二类型MOS器件进行测试，获得测试数据；d）根据所述测试数据确定所述解析模型的系数。本发明提供的建模方法，简单易行，可操作性强，有较广的适用范围。 | ||
交易流程
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