专利详情

专利名称	纳米柱发光二极管的制作方法
申请号	CN201210180419.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102709410A	公开（授权）日	2012.10.03
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	吴奎;魏同波;闫建昌;刘喆;王军喜;张逸韵;李璟;李晋闽
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	纳米柱发光二极管的制作方法至纳米柱发光二极管的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种纳米柱发光二极管的制作方法，包括：在蓝宝石衬底上依次外延u-GaN层、n型GaN层、二氧化硅掩蔽层和聚苯乙烯球；采用加热和ICP的方法，刻蚀聚苯乙烯球；采用加温处理，使聚苯乙烯球在二氧化硅掩蔽层的表面有稍微塌陷，把点接触变成面接触；在其上蒸金属；去除聚苯乙烯球表面的金属；采用加热处理和刻蚀二氧化硅掩蔽层；酸液腐蚀去掉金属掩膜，形成二氧化硅纳米孔状阵列结构；在其上依次外延MQW层、EBL层和p-GaN层，形成基片，在基片上生长ITO透明电极；分割成小芯片，将小芯片置于BOE溶液中超声时间为80s，使二氧化硅纳米孔状阵列结构的二氧化硅掩蔽层被腐蚀掉后，被空气包覆，完成器件的制备。该方法使用自组装技术，工艺简单，技术先进，有利于大规模生产。