专利详情

专利名称	一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法
申请号	CN201010233999.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102338846A	公开（授权）日	2012.02.01
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	赵妙;王鑫华;刘新宇;郑英奎;李艳奎;欧阳思华;魏珂
主分类号	G01R31/26(2006.01)I	IPC主分类号	G01R31/26(2006.01)I
专利有效期	一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法至一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法，属于半导体器件技术领域。所述方法：搭建用于测量GaN基HEMT器件低频噪声的测试平台；利用测试平台测量GaN基HEMT器件的低频噪声曲线；对低频噪声曲线进行分析，获得表征GaN基HEMT器件的低频噪声特性参数。本发明通过搭建用于GaN基HEMT器件低频噪声测试的测试平台，对器件的低频噪声特性进行相应的测量，结合已有的低频噪声模型，通过一系列的拟和分析，获得器件的低频噪声特征参数，实现对器件可靠性的评价。