专利详情

专利名称	一种具有单原子层台阶的六角氮化硼基底及其制备方法与应用
申请号	CN201110247262.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102336588A	公开（授权）日	2012.02.01
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	丁古巧;唐述杰;谢晓明;江绵恒
主分类号	C04B41/53(2006.01)I	IPC主分类号	C04B41/53(2006.01)I;C01B31/04(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;C30B33/02(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C23C16/56(2006.01)I
专利有效期	一种具有单原子层台阶的六角氮化硼基底及其制备方法与应用至一种具有单原子层台阶的六角氮化硼基底及其制备方法与应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种具有单原子层台阶的六角氮化硼（hBN）基底及其制备方法，将hBN基底表面解理得到新鲜的解理面，然后用氢气高温下刻蚀六角氮化硼，得到可控的、规则的单原子层台阶。本发明利用了氢气对hBN的各向异性刻蚀作用，通过调节氢气比例、退火温度、退火时间来控制hBN的刻蚀速率和刻蚀程度，达到刻蚀出规则单原子台阶的目的。该制备工艺和化学气相沉积法制备石墨烯的工艺相兼容，可以用于石墨烯纳米带的制备。主要应用于新型石墨烯电子器件。