一种制备掺铈溴化镧闪烁晶体的坩埚下降法生长设备
- 申请号：CN201220038888.4
- 专利类型：实用新型
- 申请（专利权）人：中国科学院福建物质结构研究所
- 公开(公开)号：CN202465955U
- 公开(公开)日：2012.10.03
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 一种制备掺铈溴化镧闪烁晶体的坩埚下降法生长设备 | ||
| 申请号 | CN201220038888.4 | 专利类型 | 实用新型 |
| 公开（公告）号 | CN202465955U | 公开（授权）日 | 2012.10.03 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 吴少凡;叶宁;苏伟平 |
| 主分类号 | C30B29/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/12(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种制备掺铈溴化镧闪烁晶体的坩埚下降法生长设备 至一种制备掺铈溴化镧闪烁晶体的坩埚下降法生长设备 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 一种制备掺铈溴化镧闪烁晶体的坩埚下降法生长设备，其特征在于：所所述生长设备在原料熔化阶段通过三温区独立控制，将上温区分为上a温区和上b温区，上温区温度比晶体的熔点高，且上b温区的温度略高于上a温区；所述生长设备中的晶体生长位置，预埋有透明石英光纤；通过测量透明光纤中的氦氖激光的光损耗变化情况，来确定自发成核的籽晶经过筛选后是否单晶化。 | ||
交易流程
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专利 -
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确认专利
可交易 - 03 签订合同
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