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一种磁共振成像超导磁体系统的设计方法

  • 申请号:CN201210147319.8
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院电工研究所
  • 公开(公开)号:CN102707250A
  • 公开(公开)日:2012.10.03
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种磁共振成像超导磁体系统的设计方法
申请号 CN201210147319.8 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102707250A 公开(授权)日 2012.10.03
申请(专利权)人 中国科学院电工研究所 发明(设计)人 倪志鹏;王秋良;严陆光
主分类号 G01R33/38(2006.01)I IPC主分类号 G01R33/38(2006.01)I
专利有效期 一种磁共振成像超导磁体系统的设计方法 至一种磁共振成像超导磁体系统的设计方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 一种磁共振成像超导磁体系统的设计方法,该方法结合线性规划和非线性优化算法在欲布置线圈的空间范围内进行全局优化搜索线圈的最佳位置,可对成像区域的形状和磁场均匀度、杂散场的限制范围和强度、电流安全裕度以及线圈中最高磁场强度进行约束,设计出的线圈具有造价低和结构简单等优点。

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