专利详情

专利名称	MOS晶体管及其形成方法
申请号	CN201010233576.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102339859A	公开（授权）日	2012.02.01
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司	发明（设计）人	朱慧珑;尹海洲;骆志炯
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	MOS晶体管及其形成方法至MOS晶体管及其形成方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种MOS晶体管及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底的器件层表面形成栅堆叠；在对着栅堆叠位置的器件层和绝缘层分别形成MOS晶体管的沟道区以及绝缘层；在所述沟道区和绝缘层的两侧形成籽晶侧墙；在籽晶侧墙两侧外延形成外延薄膜并对其进行非晶化处理；还包括：在外延薄膜和栅堆叠表面形成应力层，相应地，本发明还提供一种MOS晶体管。本发明的MOS晶体管通过采用所述应力层作为沟道区的应变的一个来源，在退火的时候，所述应力层中的的应力会施加到器件层的两侧，从而进一步增大沟道区的应力，并且本发明通过采用绝缘体上硅以及籽晶侧墙来阻止外延薄膜晶化过程中产生的缺陷进入沟道区。