专利详情

专利名称	一种半导体结构
申请号	CN201190000069.4	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN202487556U	公开（授权）日	2012.10.10
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	尹海洲;骆志炯;朱慧珑
主分类号	H01L21/768(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/768(2006.01)I
专利有效期	一种半导体结构至一种半导体结构	法律状态
说明书摘要	一种半导体结构，包括，第一、第二和第三层间结构。所述第一层间结构包括第一介质层（300）和第一接触塞（320），所述第一介质层（300）与栅极堆叠平齐或覆盖所述栅极堆叠，所述第一接触塞（320）贯穿所述第一介质层（300）且电连接于至少部分源/漏区（110）；所述第二层间结构包括盖层（400）和第二接触塞（420），所述盖层（400）覆盖所述第一层间结构，所述第二接触塞（420）贯穿所述盖层（400）并经第一衬层电连接于所述第一接触塞（320）和所述栅极堆叠；所述第三层间结构包括第二介质层（500）和第三接触塞（520），所述第二介质层（500）覆盖所述第二层间结构，所述第三接触塞（520）贯穿所述第二介质层（500）中并经第二衬层电连接于所述第二接触塞（420）。还提供了一种半导体结构的制造方法，利于节约面积以提高半导体结构的集成度。