专利详情

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN201010239275.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102339860A	公开（授权）日	2012.02.01
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑;梁擎擎;钟汇才
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	半导体器件及其制造方法至半导体器件及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体衬底；应力层，部分嵌入于半导体衬底中，应力层的表面包括顶壁、底壁和侧壁，侧壁由第一侧壁和第二侧壁构成，第一侧壁连接顶壁与第二侧壁，第二侧壁连接第一侧壁与底壁，第一侧壁和第二侧壁之间的夹角小于180°，并且第一侧壁和第二侧壁关于平行于半导体衬底的平面对称；沟道区，位于应力层上；栅堆叠，位于沟道区上；源/漏区，位于沟道区的两侧且嵌入半导体衬底中，源/漏区的表面比顶壁低。本发明的实施例适用于半导体器件的应力工程。