专利详情

专利名称	低功耗半导体存储器及其制作方法、驱动方法
申请号	CN201010233925.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102339828A	公开（授权）日	2012.02.01
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	梁擎擎;钟汇才;朱慧珑
主分类号	H01L27/105(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/105(2006.01)I;H01L21/8239(2006.01)I
专利有效期	低功耗半导体存储器及其制作方法、驱动方法至低功耗半导体存储器及其制作方法、驱动方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种低功耗半导体存储器及其制作方法、驱动方法。所述低功耗半导体存储器包括存储晶体管与控制晶体管，其中，所述控制晶体管包含有输入端与输出端，所述控制晶体管的输出端与存储晶体管的体区相连接；在所述控制晶体管开启时，其输入端加载的输入电压输出至存储晶体管的体区，使得所述存储晶体管的体区电位变化，而所述存储晶体管体区电位用于标记存储数据。本发明的低功耗半导体存储器采用垂直隧穿场效应管控制存储器的数据读写操作，既降低了存储器的最小开启电压，又提高了器件的开关速度；同时，通过改变存储晶体管的体区电位来标记数据存储情况，体区较小的寄生电容降低了数据写入操作时对充电电流的要求，从而有效降低了器件功耗。