专利详情

专利名称	一种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法
申请号	CN201210219229.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102723306A	公开（授权）日	2012.10.10
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	陈骁;罗乐;汤佳杰;徐高卫
主分类号	H01L21/768(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/768(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I
专利有效期	一种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法至一种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法，该方法利用TSV实现双面集成的系统级封装结构，在需要集成MMIC芯片时，不必在布线之前就埋入衬底，其性能、可靠性、以及成品率将得到改善。同时，在制作过程中的注入腐蚀、释放和高温退火等工艺可以在MMIC集成之前使用，需要使用特殊工艺的元器件可以在衬底的另一面事先组装和集成。因而包括有源和无源器件、MEMS器件、以及光电器件等的衬底在集成MMIC之前可以很方便地大规模制造，并且工艺相对简单，成本降低，是目前极为先进、可靠的制造方法。