专利详情

专利名称	一种表面等离子体共振成像纳米结构阵列芯片的制备方法
申请号	CN200810119126.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101339128	公开（授权）日	2009.01.07
申请（专利权）人	中国科学院光电技术研究所	发明（设计）人	杨欢;李飞;罗先刚;杜春雷
主分类号	G01N21/55(2006.01)I	IPC主分类号	G01N21/55(2006.01)I;G01N21/41(2006.01)I
专利有效期	一种表面等离子体共振成像纳米结构阵列芯片的制备方法至一种表面等离子体共振成像纳米结构阵列芯片的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种表面等离子体共振成像纳米结构阵列芯片的制备方法，其特征在于包括以下步骤： (1)选择基片并清洗；(2)采用真空蒸镀在基片上镀上第一层金属膜；(3)在金属膜层上自组装一层聚苯乙烯纳米球；(4)在自组装层上蒸镀第二层金属薄膜，填充球与球之间的间隙； (5)通过Lift off工艺去除纳米球；(6)采用激光直写机制作微米量级的点阵掩模板；(7) 利用光刻将掩模图形转移到基板上；(8)通过显影、去胶，得到点阵图形；(9)通过化学方法，去除多余金属和光刻胶，形成具有周期性纳米结构的金属点阵芯片；本发明采用纳米聚苯乙烯球进行自组装的方法实现周期性纳米结构的制备，适合大批量的制作纳米结构。