一种半导体器件及其制造方法
- 申请号：CN201110045404.9
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102651397A
- 公开(公开)日：2012.08.29
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种半导体器件及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201110045404.9 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102651397A | 公开（授权）日 | 2012.08.29 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 |
| 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种半导体器件及其制造方法 至一种半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成氧化物层；在所述氧化物层上形成石墨烯层；在所述石墨烯层上形成栅介质层，以及在所述栅介质层上形成栅电极，并图形化所述栅电极；在所述栅电极两侧的衬底内形成掺杂区。通过在所述半导体衬底中形成掺杂区，继而，在石墨烯层表层由于静电感应形成感应掺杂区，以在石墨烯层中形成掺杂，利于减小包含石墨烯层的半导体器件的外部电阻。 | ||
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