一种气敏传感器
- 申请号:CN200710117612.9
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号:CN101329291
- 公开(公开)日:2008.12.24
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种气敏传感器 | ||
申请号 | CN200710117612.9 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN101329291 | 公开(授权)日 | 2008.12.24 |
申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 黄钦文;景玉鹏;陈大鹏;欧毅;叶甜春 |
主分类号 | G01N27/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/00(2006.01)I |
专利有效期 | 一种气敏传感器 至一种气敏传感器 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明涉及微机电系统技术领域,公开了一种气敏传感器,包括单晶 硅衬底,起支撑作用的二氧化硅/氮化硅层,加热测温电极、叉指电极,加 热测温电极和叉指电极之间的电绝缘层,叉指电极引出线压焊点、加热测 温电极引出线压焊点和气体敏感层;所述电绝缘层在所述加热测温电极形 成后淀积在所述加热测温电极上,所述叉指电极形成于所述电绝缘层上, 所述气体敏感层淀积在所述叉指电极上。利用本发明,提高了器件被加热 的工作区域部分与周围的热绝缘,降低了器件功耗,简化了器件中加热和 测温部分的结构,有利于器件的大量生产以及和信号采集处理电路的集 成。 |
交易流程
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