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一种气敏传感器

  • 申请号:CN200710117612.9
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN101329291
  • 公开(公开)日:2008.12.24
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种气敏传感器
申请号 CN200710117612.9 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101329291 公开(授权)日 2008.12.24
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 黄钦文;景玉鹏;陈大鹏;欧毅;叶甜春
主分类号 G01N27/00(2006.01)I IPC主分类号 G01N27/00(2006.01)I
专利有效期 一种气敏传感器 至一种气敏传感器 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及微机电系统技术领域,公开了一种气敏传感器,包括单晶 硅衬底,起支撑作用的二氧化硅/氮化硅层,加热测温电极、叉指电极,加 热测温电极和叉指电极之间的电绝缘层,叉指电极引出线压焊点、加热测 温电极引出线压焊点和气体敏感层;所述电绝缘层在所述加热测温电极形 成后淀积在所述加热测温电极上,所述叉指电极形成于所述电绝缘层上, 所述气体敏感层淀积在所述叉指电极上。利用本发明,提高了器件被加热 的工作区域部分与周围的热绝缘,降低了器件功耗,简化了器件中加热和 测温部分的结构,有利于器件的大量生产以及和信号采集处理电路的集 成。

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