专利详情

专利名称	相变存储单元结构、其制备方法及相变存储阵列制备方法
申请号	CN201010106878.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101789491A	公开（授权）日	2010.07.28
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	龚岳峰;宋志棠;凌云;吕世龙;刘燕;李宜瑾
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I
专利有效期	相变存储单元结构、其制备方法及相变存储阵列制备方法至相变存储单元结构、其制备方法及相变存储阵列制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及相变存储单元结构，该结构包括一对共面的、分开的电极；以及所述共面的电极之间的相变材料层，该相变材料层两端分别与电极接触，形成接触部，所述相变材料层的中间部分的厚度大于接触部的厚度。采用本发明的相变存储器采用三维结构，外围电路全部埋置于相变存储阵列下面，使得外围电路面积不会影响整个芯片的面积，相变存储器阵列位于外围电路的上方，布满整个芯片，最大程度利用了芯片的面积，提高器件密度。器件结构采用横向结构，比起纵向结构，在实现同样的结构图形的情况下，简化工艺。器件中相变材料在电极处分布薄，在中心区域分布厚，可以保证电极和相变材料接触面积小的同时，进一步提高电流密度，降低功耗。