专利详情

专利名称	免封装电磁驱动式微小型电场传感器
申请号	CN200710119832.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101359013B	公开（授权）日	2010.08.18
申请（专利权）人	中国科学院电子学研究所	发明（设计）人	夏善红;叶超;郑凤杰;陈绍凤
主分类号	G01R29/12(2006.01)I	IPC主分类号	G01R29/12(2006.01)I
专利有效期	免封装电磁驱动式微小型电场传感器至免封装电磁驱动式微小型电场传感器	法律状态
说明书摘要	一种免封装电磁驱动式电场传感器，其中：绝缘支撑结构为一板状体，其上表面设置一屏蔽金属层；绝缘支撑结构间开设有一带台阶的孔，以嵌入安装电磁驱动元件；电磁驱动元件的振动膜上表面设置有一层感应金属层。在电磁驱动元件两端施加交流电压时，其交变的电流通过电磁驱动元件内部的线圈发生振动，驱动电磁驱动元件上的振动膜带动感应金属层一起振动；感应金属层在屏蔽金属层附近振动时，感应金属层上产生的感应电荷随着感应电荷周期性的变化，感应金属层输出一个正比于外电场的交变电流，通过外部测量电路检测出该电流的大小，实现外电场测量。相比传统的电场传感器，本发明具有体积小、功耗低、免封装、成本低的优点。