专利详情

专利名称	光谱选择性光电探测器及其制备方法
申请号	CN201210135778.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102651421A	公开（授权）日	2012.08.29
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	张传杰;王建峰;黄增立;徐科
主分类号	H01L31/101(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/101(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	光谱选择性光电探测器及其制备方法至光谱选择性光电探测器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种光谱选择性光电探测器，包括基底以及在基底上依次设置的等离激元结构层和掺锡氧化铟层，所述等离激元结构层包括多个介质结构单元，每个介质结构单元包括一条状主吸收窗口以及一对或多对条状吸收调节窗口，所述条状吸收调节窗口位于条状主吸收窗口一侧或两侧。本发明还提供一种如上述的光谱选择性光电探测器的制备方法，包括步骤：1）提供基底；2）在基底上生长等离激元结构层并图形化，以形成介质结构单元；3）在等离激元结构层上生长掺锡氧化铟层。