专利详情

专利名称	三结级联太阳能电池及其制备方法
申请号	CN201210154999.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102651417A	公开（授权）日	2012.08.29
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	于淑珍;董建荣;李奎龙;孙玉润;赵勇明;赵春雨;杨辉
主分类号	H01L31/0687(2012.01)I	IPC主分类号	H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/0693(2012.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	三结级联太阳能电池及其制备方法至三结级联太阳能电池及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种三结级联太阳能电池包括GaAs或Ge的衬底，以及在所述衬底上依次设置的第一渐变过渡层、InGaAs子电池、第二渐变过渡层、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、GaInP子电池和GaAs接触层。本发明还提供一种如上述的三结级联太阳能电池的制备方法，步骤为在衬底上依次生长第一渐变过渡层、InGaAs子电池、第二渐变过渡层、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、GaInP子电池和GaAs接触层。