一种超高压新相Cu2Sb合金晶体及其制备方法
- 申请号：CN201210074831.4
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院物理研究所
- 公开(公开)号：CN102628113A
- 公开(公开)日：2012.08.08
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种超高压新相Cu2Sb合金晶体及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201210074831.4 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102628113A | 公开（授权）日 | 2012.08.08 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 于润泽;望贤成;孔盼盼;刘清青;靳常青 |
| 主分类号 | C22C9/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C22C9/00(2006.01)I;C22C1/04(2006.01)I;C30B29/52(2006.01)I;C30B1/12(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种超高压新相Cu2Sb合金晶体及其制备方法 至一种超高压新相Cu2Sb合金晶体及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种超高压新相Cu2Sb合金晶体及其制备方法，该晶体坍塌四方相的空间群为P4/nmmz，晶格常数为a=3.8-3.9?,c=5.9-6.0?。本发明通过高压方法，将常压下的Cu2Sb合金晶体通过高压作用，发生结构转变，从而得到了一种新的坍塌四方相Cu2Sb合金。本发明为探究铁基超导体提供了可能。 | ||
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