专利详情

专利名称	双面平行对称硅梁质量块结构及其制备方法
申请号	CN201210127069.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102642801A	公开（授权）日	2012.08.22
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	车录锋;周晓峰;熊斌;林友玲;王跃林
主分类号	B81B3/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81B3/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	双面平行对称硅梁质量块结构及其制备方法至双面平行对称硅梁质量块结构及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种双面平行对称梁质量块结构及其制备方法，属于微电子机械系统领域，该方法通过利用双面正反对准光刻工艺在双抛(100)硅片上形成双面平行对称梁质量块图形区域，然后进行干法刻蚀和湿法各向异性刻蚀，悬臂梁的（111）面作为腐蚀终止面，自动终止硅悬臂梁的腐蚀，最终形成双面平行对称梁质量块结构。该制备方法工艺简单，可以对双面平行对称梁质量块结构尺寸进行精确控制，使得梁质量块结构的制造成品率大大提高。本发明制备的器件在法向具有高度对称性，提高了器件抗侧向冲击和扭转冲击的能力，降低了交叉灵敏度，可应用于多种MEMS器件的结构中，如电容式加速度传感器、电阻式加速度传感器、微机械陀螺等。