一种提高晶硅太阳电池短波响应的发射极结构
- 申请号：CN200810116556.1
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院电工研究所
- 公开(公开)号：CN101325225
- 公开(公开)日：2008.12.17
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 一种提高晶硅太阳电池短波响应的发射极结构 | ||
| 申请号 | CN200810116556.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101325225 | 公开（授权）日 | 2008.12.17 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 赵雷;王文静 |
| 主分类号 | H01L31/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/06(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种提高晶硅太阳电池短波响应的发射极结构 至一种提高晶硅太阳电池短波响应的发射极结构 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 一种提高晶硅太阳电池短波响应的发射极结构。所述发射极结构依次包括一种掺杂类型 的晶硅衬底1，在所述晶硅衬底1上制备的与所述晶硅衬底1掺杂类型相反的晶硅层2，在 所述晶硅层2上制备的透明导电电极层3，在透明导电电极层3上制备的金属栅线4。 | ||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
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05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
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过户资料
平台保障
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