一种提高晶硅太阳电池效率的发射极结构
- 申请号：CN200810116535.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院电工研究所
- 公开(公开)号：CN101325224
- 公开(公开)日：2008.12.17
- 法律状态：授权
- 出售价格： 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | 一种提高晶硅太阳电池效率的发射极结构 | ||
| 申请号 | CN200810116535.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101325224 | 公开（授权）日 | 2008.12.17 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 王文静;赵雷 |
| 主分类号 | H01L31/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/06(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种提高晶硅太阳电池效率的发射极结构 至一种提高晶硅太阳电池效率的发射极结构 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 一种提高晶硅太阳电池效率的发射极结构。所述发射极结构依次包括一种掺杂类型的晶 硅衬底1，在所述晶硅衬底1上制备的与所述晶硅衬底1掺杂类型相反的晶硅层2，在所述 晶硅层2上制备的与晶硅层2掺杂类型相同的薄膜硅层3，在所述薄膜硅层3上制备的透明 导电电极层4，在透明导电电极层4上制备的金属栅线5。 | ||
交易流程
-
01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
-
05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障
- 用户留言
暂时还没有用户留言